Estudo de um modelo bidimensional de reator de plasma RF com acoplamento capacitivo simulado pelo método de elementos finitos

Autores

  • Carla Andreia dos Santos Melo Universidade Estadual de Santa Cruz – Ilhéus (BA), Brasil
  • Marcelo Bento Pisani Universidade Estadual de Santa Cruz – Ilhéus (BA), Brasil
  • Gesil Sampaio Amarante Segundo Universidade Estadual de Santa Cruz – Ilhéus (BA), Brasil

DOI:

https://doi.org/10.17563/rbav.v40i1.1200

Resumo

Neste trabalho estudamos um plasma de acoplamento capacitivo com fonte com radiofrequência de 13,56 MHz e pressão a 13,33 Pa utilizando o código finite elements method (FEM) para a simulação de um modelo bidimensional de descarga de argônio. É de extrema importância conhecer o que ocorre na câmara de deposição de filmes finos na expectativa de alcançar a redução de custos na produção de filmes finos. Os resultados demonstram, considerando o comprimento de Debye e pela evidência da presença de bainhas, o efeito de blindagem no plasma. A densidade de elétrons encontrada está em concordância com o modelo global aproximado de descarga descrito previamente. Variações de parâmetros como a potência fornecida, na faixa de 1 a 100 W, gerou um plasma mais energético com a densidade de elétrons entre 1,5Å~1015 e 5Å~1016 m-3. No modelo foi possível visualizar na distribuição espacial do plasma a formação e a assimetria da bainha, o que possibilitou estabelecer a posição de maior densidade nos eixos axial e radial. Adicionalmente, essas distribuições demonstram regiões não uniformes de densidade, o que é confirmado pela observação experimental de uma maior erosão do alvo, e os filmes depositados apresentam espessuras menores das bordas axiais do substrato.

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Publicado

2021-02-22 — Atualizado em 2021-02-22

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Edição

Seção

Sessão Especial: XLI CBraVIC