Estes trabalho apresenta os resultados obtidos com a aplicação de películas de nitreto de silício como camada anti-refletora (CAR) em células solares de silício multicristalino. As películas de nitreto foram depositadas através da técnica PRCVD, a partir da mistura de amônia e silana. As condições de deposição foram otimizadas visando obter-se, além do efeito de anti-reflexão, o da introdução de hidrogênio durante a deposição. Foi feito um estudo sobre o efeito da deposição da CAR na corrente de curto circuito e na eficiência quântica das células solares. A CAR de nitreto de silício utilizada foi depositada à temperatura de 350, razão amônia/silana=5, densidade de potência do plasma=25mW/cm3 e apresentou as características: índice de refração=1,97; espessura=750A e "gap" ótico=2,67eV. Os resultaods obtidos mostram que, em média, as células com CAR de nitreto de silício apresentaram um aumento da corrente de curto-circuito 8% maior do que o das células de referência, evidenciando os efeitos da passivação com hidrgênio, introduzido durante a deposição. Esta CAR poderia ser incluída num processo de fabricação em etapa anterior à deposição dos contatos ou como etapa final, uma vez que não provoca degradação do dispositivo. A eficiência obtida para as células solares de silício multicristalino com a CAR de nitreto de silício, esteve na faixa da 12% a 13%.
