O contatometal-semicondutores é de grande importência na fabricação de lasers semicondutores. Neste estudo foi feita a análise da contato "multi-metal" sobre lasers de InGaAsP, através das técnicas de microssonda eletrônica e espectroscopia de Auger.
Testes de durabilidade destes contatos foram feitos pelo aquecimento dos mesmos a temperatura de 300°C por 72 horas no ar. A análise das amostras assim tratadas, mostraram qua a difusão de zn da interface metal/semicondutor à superfície é principal causa do aumento da resistência de contato
