CARACTERIZAÇÃO DA DEPOSIÇÃO DE UM SISTEMA DE “SPUTTERING” DC

Autores

  • M. A. Silveira
  • A. P. Mammana

DOI:

https://doi.org/10.17563/rbav.v8i1-2.814

Resumo

Como parte da caracterização de um sistema de pulverização catódica (sputtering) DC por nós desenvolvido, foram estudados filmes finos de Si e Ta sobre substratos amorfos e cristalinos. Verificou—se a linearidade da taxa de deposição para potências na faixa de 25 a 150 W e pressões na câmara entre 30 a 100 mTorr.Os filmes depositados apresentaram boa aderencia aos substratos, tendo revelado a presença de oxigênio e argônio por medidas de RBS. Os filmes de Ta têm resistividade na faixa de 1,8 a 10,1 mohm.cm, dependendo das condições de deposição, densidade de 12,4 ± 0,3 g/cm3, com estrutura ? (ccc) fortemente orientada na direção (110) e grãos da ordem de 30 A independentemente do tipo de substrato. Micrografias eletrônicas dos filmes revelaram uma estrutura colunar perpendicular à superficie dos substratos.

Downloads

Edição

Seção

Artigos