A espectroscopia de Eletrons Auger(EEA) em conjunto com "sputterin" poríons de Ar+ é um dos métodos mais usados na análise das interfaces em filmes finos. Em certos casos, porém, a reação química dos elementos na interface provoca perturbações ("chemical shifts") nas transições Auger, o que torna difícil a análise semi-quantitativa da composição.
No caso da interface Pd/Si, a formação de um sileto Pdx Siy modifica a transição Auger Si(L2,3W ), em 89 eV, característica do silício elementar, surgindo três novos picos nas energias de 79, 84 e 94 eV. Uma análise detalhada destes novos picos fica prejudicada pelo prolongamento do pico de 89 eV e pela presença de uma transiçãoAuger dePd em 78 eV.
Baseado no trabalho de Ho et al¹ apresenta-se um método de decomposição detransição de Auger Si(L2,3W ) relativamente simples e rápido, que pode permitir a determinação semi-quantitativa da interface Pd/Si por EEa.