MICROESTRUTURA DE FILMES DE In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Sn DEPOSITADOS POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA COM RÁDIO-FREQÜÊNCIA: INFLUÊNCIA NAS PROPRIEDADES ELÉTRICAS E ÓTICAS
Filmes finos transparentes de óxido de índio dopados com estanho foram depositados à temperatura ambiente por pulverização catódica com rádio-freqüência assistida por campo magnético, usando-se diferentes pressões e potências. Os filmes foram recozidos em vácuo (10-6 Torr) na faixa de 473 K a 573 K. A microestrutura dos filmes foi avaliada a fim de investigar sua relação com os parâmetros de processo, tais como pressão, potência e temperatura de recozimento. Correlações entre a microestrutura e as propriedades eletro-ópticas foram estabelecidas. Filmes crescidos em baixas pressões são cristalinos e têm resistência superficial menor que a dos filmes depositados em pressões elevadas. Filmes depositados em altas pressões são amorfos, mas podem ser cristalizados após recozimento. Com a cristalização, a concentração de portadores destes filmes aumentou, o que ocasionou um decréscimo na resistência superficial e um alargamento da banda proibida.
