CONSTRUÇÃO DE UM SISTEMA DE RF MAGNETRON SPUTTERING PARA PREPARAÇÃO DE FILMES DE GaAs AMORFO

Autores

  • A. L. J. Pereira
  • J. V. Lopez
  • J. H. D. da Silva

DOI:

https://doi.org/10.17563/rbav.v22i2.160

Resumo

Descrevemos um sistema de magnetron sputtering em rádio freqüência construído para a produção de filmes de GaAs amorfo, e analisamos a transmitância óptica dos filmes depositados em função da potência de radio freqüência utilizada e da pressão total na câmara utilizados durante o crescimento. Investigamos também a influência da incorporação de hidrogênio sobre a absorção óptica e sobre a estrutura do material. Os filmes com melhores propriedades ópticas foram produzidos com os seguintes parâmetros: pressão total – 4.5x10-2 torr, fluxo de argônio – 20 sccm, fluxo de hidrogênio - 10 sccm, densidade de potência RF – 400 mW/cm2.

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Publicado

2008-04-11

Edição

Seção

Artigos