Neste trabalho estudam-se as principais influências do bombardeamento iônico na qualidade de filmes de SiO2 obtidos por deposição química a vapor enriquecida por plasma, utilizando como fonte de silício o reagente TEOS (PETEOS). Para tanto, um sistema de PECVD foi modificado, incluindo-se uma rede equipotencial entre o eletrodo de RF e a lâmina de silício, permitindo-se alterar a intensidade do bombardeamento iônico. Os filmes depositados foram analisados por espectroscopia Raman e pelas técnicas C-V e I-V. Não houve diferenças consideráveis nas taxas de deposição, implicando que as espécies neutras são as principais responsáveis pela formação do filme. Verificou-se que a oxidação do TEOS na fase sólida (que causa a remoção de compostos de carbono do filme) e as características elétricas (histerese e constante dielétrica) dependem do bombardeamento iônico (íons de O2). Em função dos resultados observados, desenvolveu-se um modelo qualitativo.
