INFLUÊNCIA DOS PROCESSOS DE CRESCIMENTO CONVENCIONAL E PIROGÊNICO NA QUALIDADE E NA UNIFORMIDADE DE NANO-ÓXIDOS DE PORTA MOS OBTIDOS EM SUPERFÍCIES DE SILÍCIO IRREGULARES CONTENDO DEGRAUS ABRUPTOS
Neste trabalho, foram investigados filmes finos de óxido de silício crescidos sobre superfícies de lâminas de silício contendo formas retangulares periódicas com 100 nm de altura, obtidas a partir de corrosões por plasma localizadas. Os óxidos de silício (SiO2) com cerca de 4,5 nm de espessura foram crescidos em ambientes ultrapuros de oxigênio (O2) ou pirogênico (O2 + H2) a fim de comparar a uniformidade planar e o grau de cobertura sobre as bordas dos degraus verticais presentes nos perfis espaciais retangulares sobre as superfícies de silício. Foi mostrado que a oxidação pirogênica ou convencional na temperatura de 850oC permite obter óxidos de porta sobre degraus com alto campo de ruptura da rigidez dielétrica (>10 MV/cm), boa uniformidade planar e boa cobertura nas bordas dos degraus. O impacto deste resultado é agora a possibilidade de implementar óxidos de porta de boa qualidade para transistores de porta envolvente (SGT´s).
