Filmes de CNx foram depositados por Triodo Magnetron Sputtering operando com voltagem e densidade de corrente constantes de -600 V e 13 mA/cm2, respectivamente, independentemente da composição do gás de trabalho (N2+Ar). Estuda-se a influência da concentração de N2 na razão de deposição e estequiometria do filme. Os filmes foram analisados por microscopia ótica, microscopia eletrônica de varredura, espectroscopias de fotoelétrons excitados por raios X (XPS) e Raman. Observa-se que o aumento de N2 no gás de trabalho aumenta a razão de deposição e a razão entre as concentrações de nitrogênio e carbono nos filmes (N/C) além de provocar um estreitamento da banda G do espectro Raman. A razão entre as ligações N-C com hibridização sp2 e sp3 permanece próxima de 1,0 com a variação de N/C.
