Existem intervalos de temperatura onde o espectro da fotocondutividade é completamente mascarado pelos níveis profundos, tais como o centro DX que é dominante em AlxGa1-xAs. Nós medimos o espectro da fotocondutividade como uma função da temperatura e encontramos que acima de aproximadamente 120 K, a ausência da fotocondutividade persistente contribui para um espectro limpo, onde a transição de banda proibida é facilmente avaliada. Nós também medimos a resistência em função a temperatura sob a influência de iluminação constante com luz monocromática de comprimento de onde no intervalo 0,5-1,5 µm, e plotamos a condutância (GxT) devido a esta medida. Abaixo de 70K, o comportamento da curva GxT depende da composição de Al na amostra pois numa amostra com transição direta, luz com energia acima da transição induz um aumento na condutividade para valores acima da temperatura ambiente e valores de energia abaixo da transição não são capazes de evitar a captura por outro nível.
