A deposição eletroquímica de Cu sobre Si tipo-n foi investigada por voltametria cíclica. A aparência, morfologia e pureza dos filmes depositados foram caracterizados por SEM, AES e por RBS. Os resultados mostram a formação de depósitos metálicos sob regime catódico, e também sob regime anódico sempre que HF for adicionado à solução de sulfato de cobre. Os filmes de Cu preparados sob esta última condição exibem uma estrutura granular compacta e homogênea independente do potencial aplicado durante a deposição. Já os depósitos obtidos em regime catódico dependem do potencial e dos aditivos no eletrólito, para a concentração de íons de Cu utilizada.
