Filmes finos de cobre foram produzidos por deposição eletroquímica em sílico (100) a partir de soluções contendo sulfato de cobre e aditivos. As camadas metálicas foram caracterizadas pela técnica de difraçãp de raios-x (Bragg-Bretano), cujos resultados foram comparados com os obtidos pela técnica de microscopia eletrônica de varredura (SEM). Para uma concentração de 13mM de sulfato de cobre verificou-se a existência de crescimento preferencial do plano (200).
