O stress residual tipicamente encontrado em filmes depositados pela técnica de Magnetron Sputtering pode ser influenciado por uma séria de fatores, tais como a pressão de trabalho e a diferença de potencial aplicada durante o processo de deposição. Esses fatores podem alterar diretamente a energia dos íons e dos átomos ejetados. O objetivo deste estudo é verificar a influência da variação da energia dos átomos depositados com os valores do stress residual obtidos nos filmes finos de Cr e Hf utilizando a técnica de DC Magnetron Sputtering. Para variar a energia dos íons durante o processo de deposição, a pressão de trabalho foi variada até se obter diferenças de potencial de 350 V, 400 V, 450 V, 500 V e 550 V sempre para uma potência controlada de 100 W. O stress intrínseco dos revestimentos foi avaliado segundo a lei de Stoney, através da medida do raio de curvatura dos substratos. As propriedades mecânicas das amostras foram caracterizadas através de testes instrumentados de dureza em um equipamento Fischerscope HV100, com um penetrador Berkovich. Os resultados indicam a existência de uma forte dependência entre a pressão de trabalho utilizada durante a deposição, e o stress intrínseco gerado nos revestimentos.
