Neste trabalho analisam-se os comportamentos teóricos e experimentais de diversas estruturas antirefletoras utilizadas em células solares de silício de uso espacial. Realiza-se uma comparação entre camadas simples de SiO2, Ta2O5e uma estrutura antirefletora composta por dupla camada de MgF2ZnS, depositadas sobre superficies polidas. As otimizações teóricas e experimentais foram realizadas através da utilização das curvas de reflexão e das densidades de corrente de curto-circuito de cada uma das estruturas analisadas. As densidades de corrente de curto-circuito obtidas a partir das refletividades experimentais foram: 44,05 mA/cm2 para o caso da dupla camada (MgF2ZnS), enquanto que para as camadas simples de Ta2O5 e SiO2 as correntes obtidas foram, 41,26 mA/cm2 e 39,02 mA/cm2 respectivamente. Estes resultados podem ser comparados com o valor máximo da densidade de corrente de curto-circuito de 46,33 mA/cm2, supondo um caso ideal com reflexão zero. Como resultado da comparação entre as estruturas analisadas ficou comprovado que tanto as curvas de reflexão quanto as densidades de correntes de curto-circuito para o caso da camada dupla são menos sensíveis à variação da espessura se comparadas aos casos das camadas simples.
