Contatos Schottky a base de semicondutores IV-VI, de banda proibida estreita, como, por exemplo, o PbSe (Eg= 175 meV a 77K), são empregados como detetores de infra-vermelho. Foram estudadas heteroestruturas do tipo Pb/PbSe-p/CaF2/Si(111). Características I(V) entre 4-300K e C(V) a 77K, foram obtidas experimentalmente e analizadas teoricamente. Os valores obtidos da altura da barreira foram superiores ao da banda proibida do PbSe, sugerindo a presença de uma camada de inversão na interface Pb/PbSe-p.
