A resistividade elétrica de filmes de diamante não dopado e dopados com boro durante o crescimento, foi medida pelo método de quatro pontas, em função da relação B/C usada na dopagem e da temperatura no intervalo de 300-600 K. Os filmes foram obtidos pelo método CVD assistido por filamento quente, usando a mistura constituída de acetona e etanol. A qualidade dos filmes foi analisada quanto a morfologia da superfício através de Miscrocopia Eletronica de Varredurta (SEM) e quanto a sua cristalinidade por Espectroscopia Raman. Observou-se uma resistividade elétrica inversamente proporcional à relação B/C, abrangendo quatro ordens de grandeza nas amostras investigadas, e uma condutividade variável nos diferentes intervalos de temperatura. As energias de ativação estimadas foram de 0,67, 0,46, 0,41, 0,36, 0,17 e 0,10 eV, respectivamente, para o filme não dopado e dopados de B/C igual a 1500, 3000, 6000, 18000 e 30000 pm.
