Corrente de Despolarização Termicamente Estimulada (CDTE) aplicado em filmes semicondutores de AlxGa1-xAs revela uma banda em 37K para uma amostra de gap direto (x~ 0,50). Estas bandas são associadas à presença do defeito conhecido como centro DX, que devido à posição intersticial, deve gerar os dipolos elétricos obtidos nestas medidas. A aplicação de luz monocromática em conjunção com o experimento de CDTE, que normalmente é feito no escuro, induz transformações metaestáveis no centro DX, fundamentais para a sua identificação inequívoca. As linhas ?=488nm do laser de Ar+ e ?= 647nm do laser de Kr+ são usadas para excitar a amostra e em ambos os casos as bandas de CDTE são completamente destruídas. Isso é uma forte indicação de que os dipolos encontrados estão efetivamente relacionados aos centros DX e além disso, têm estado fundamental com carga negativa.
