Filmes finos de In2O3Sn foram preparados por sputtering – RF reativo, variando-se o fluxo de oxigênio na câmara de deposição e a temperatura do substrato durante o crescimento do filme. Através de análises por difração de raios-X, foram determinadas mudanças na estrutura do material, decorrentes das variações nos parâmetros de deposição, as quais foram correlacionadas com as propriedades elétricas (resistência de folha, resistividade, densidade de portadores e mobilidade Hall) e ópticas (transmitância e refletância espectral). Sob condições otimizadas, foram obtidos filmes com baixa resistividade (1,23x10-4?-cm), alta transmitância visível (cerca de 87%) e alta refletividade na região do infravermelho próximo (ao redor de 80%). As análises por difração de raios-X mostraram a presença do In2O3 policristalino com estrutura cúbica de corpo centrado, com orientação preferencial de crescimento paralela ao plano (222) e tamanho de grão variável.
