São apresentados os resultados experimentais da deposição de filmes de carbono pelo processo eletroquímico, em solução orgânica, sobre o substrato de Si a temperaturas de 30-70°C. Os potenciais aplicados e a temperatura da solução orgânica foram estabelecidos de forma a obter condições similares aos da deposição fortemente ionizada, na tentativa de obter condições análogas a da deposição de filmes de carbono por CVD em fase gasosa. Filmes com diferentes morfologias foram obtidos, os quais dependem fortemente do potencial aplicado, da temperatura da solução orgânica e da densidade de corrente empregada no processo. A nucleação inicial é bem mais rápida do que no processo de CVD convencional. A caracterização da superfície dos filmes depositados, feita por microscopia de força atômica, mostrou que os filmes são constituídos por uma granulação fina e homogênea.
