CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE OXINITRETOS DE SILÍCIO ULTRAFINOS PARA PORTA MOS OBTIDOS POR IMPLANTAÇÃO DE NITROGÊNIO NA ESTRUTURA Si-poli/SiO<sub>2</sub>/Si
A incorporação de boro em óxidos de porta MOS ultrafinos (espessura < 3,0 nm) traz sérios problemas associados ao aparecimento de cargas fixas (Qss/q > 1x1012 cm-2) como por exemplo, a variação da tensão de limiar. Observamos que a implantação de uma dose moderada de nitrogênio na faixa de 1x1013 a 5x1015 cm-2 com pico próximo à interface Si-poli/SiO2 promoveu a redução da incorporação de boro dentro do corpo do dielétrico e dentro do substrato de silício conforme pudemos inferir a partir das medidas capacitância-tensão (C-V) de alta e baixa freqüência. É importante destacar que o boro foi difundido a partir de óxido dopado depositado sobre a estrutura através da técnica “Spin On Glass” (SOG). Observamos também que com o aumento da dose de nitrogênio implantado na estrutura Si-poli/SiO2/Si, a densidade de estados de interface (Dit) foi menor que 1 x 1011 eV-1cm-2 e a concentração efetiva de dopantes (NA) no substrato de silício não se alterou de forma substancial. Esses resultados sugerem que esse processo alternativo estudado para a obtenção de silício policristalino P+ de porta pode ser empregado em tecnologias CMOS em escala industrial.
