PROPRIEDADE DIPOLAR ELÉTRICA EM FILMES DE Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As TIPO n

Autores

  • L. V. A. Scalvi
  • L. de Oliveira
  • E. Minami
  • M. Siu Li

DOI:

https://doi.org/10.17563/rbav.v11i2.364

Resumo

Medidas da corrente de despolarização termoestimulada (TSDC) indicam a presença de dipolos em ligas AlxGa1-xAs de gap direto e indireto. Os espectros de fotocondutividade e fotoluminescência para a amostra de gap direto confirmam que esta pertence à região de domínio do centro DX. O ajuste teórico aos dados experimentais é obtido através de um método que envolve a distribuição de tempos de relaxação. A energia de ativação média obtida deste procedimento tem aproximadamente o mesmo valor da energia de ligação do centro DX, o que sugere a presença de dipolos do tipo DX- - d+. A amostra com gap indireto apresenta um pico peculiar na fotocondutividade na região próxima do gap de energia, sugerindo que estados hidrogênicos do átomo doador participem da recombinação.

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Publicado

2008-09-19

Edição

Seção

Artigos