Neste trabalho nós apresentamos um processo de metalização utilizando “lift-off” de 3 níveis. A principal característica deste processo é a capacidade de se depositar filmes metálicos espessos (> 1,0 µm), com paredes inclinadas, usando deposição por “sputtering”. O processo permite ainda o engrossamento do metal pela técnica de eletrodeposição. A estrutura de 3 níveis consiste de uma grossa camada de fotoresiste (> 1,0 µm) espalhada sobre o substrato, um filme de SiO2 de ~ 100 nm depositado sobre o primeiro fotoresiste, e de um filme de fotoresiste espalhado sobre o óxido de silício. O primeiro fotoresiste e o SiO2 são “abertos” via plasma de O2 e CF4 respectivamente. Utilizando este processo temos obtido linhas espessas (~ 1,0 µm), com largura reduzida (1,0 µm). Esta técnica resultou na diminuição do número de etapas para fabricar fotodetectores de InGaAs e circuitos integrados de GaAs, em relação ao processo utilizado anteriormente em nossos laboratórios.
