Neste trabalho são apresentados estudos experimentais sobre crescimento de filmes finos de diamante em substratos de silício (100) utilizando a técnica de Deposição Química a partir da Fase Vapor (do inglês CVD) assistida por filamento quente. Foram investigadas características de filmes obtidos a partir de misturas de gases precursores CH4:H2, com e sem adições de CF4.. Nos filmes obtidos com a mistura halogenada, notou-se uma maior uniformidade de tamanho dos cristais de diamante e uma redução na concentração de impurezas de grafite. Essas melhorias são analisadas com base em um mecanismo proposto para crescimento do diamante. A caracterização dos filmes foi feita através de Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) e de Espectroscopia por Espalhamento Raman (ER).
