Camadas de InIGa As/GaAs foram depositadas em substratos de (100) GaAs pelo método da epitaxia por feixe molecular. A composição dessas camadas variou nma faixa entre x=0,07 e x= 0,50, tendo sua espessura sido sempre muito superior a espessura crítica. Análise por microscopia eletrônica de transmissão em seções transversais revelou três tipos distintos de comportamento no alívio de tensões causadas pela diferença na constante de rede cristalina do sibstrato e da camada epitaxial. Sabe-se que o mecanismo básico de alívio de tensões ocorre pela geração de discordâncias na onterface entre o substrato e a camada epitaxial. Verificou-se, no entanto, que para valores de x? 0,16, parte dessas discordâncias propagou-se para o substrato de GaAs. Materiais com 0,18 ? x ? 0,28 apresentaram discordâncias tanto no substrato como na camada epitaxial. Em camadas com x > 0,28. ocorru propagação de discordâncias somente na camada de InIGa As/GaAs
