ESTUDO DA IMPLANTAÇÃO DE CROMO POR <i style='mso-bidi-font-style:normal'>RECOIL</i> EM SILÍCIO POR MEIO DE IMPLANTAÇÃO IÔNICA POR IMERSÃO EM PLASMA DE NITROGÊNIO

Autores

  • C. B. Mello
  • M. Ueda
  • A. F. Beloto
  • J. O. Rossi
  • B. L. D. Moreno

DOI:

https://doi.org/10.17563/rbav.v25i4.47

Resumo

A técnica de tratamento de superfícies de materiais conhecida por implantação iônica por imersão em plasma foi utilizada no estudo da implantação por recoil de átomos de cromo presentes na superfície do silício polido. O filme metálico foi depositado por evaporação e, em seguida, bombardeado por íons de nitrogênio visando à implantação dos átomos de cromo balisticamente. Simulações numéricas pelo método de Monte Carlo foram realizadas a fim de estimar o alcance médio dos íons e dos átomos implantados na matriz do silício. Análises de Rocking Curve e Espectroscopia de Elétrons Auger foram realizadas para a caracterização das amostradas tratadas.

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Publicado

2008-01-19

Edição

Seção

Artigos