Espelhos de Bragg do sistema AlGaAsSb/AlAsSb com 6,5 e 20,5 períodos, não dopado e dopados com Te, preparados pela técnica de epitaxia por feixe molecular, são analisados utilizando medidas de SIMS, refletividade e fotoluminescência. Verificamos, o surgimento de flutuações de potencial nas amostras de espelho de Bragg dopadas, associadas a macro flutuações na concentração de Te, na direção de crescimento detectadas por medidas de SIMS. A refletividade do espelho de Bragg é pouco afetada pela dopagem e pela presença das macro flutuações, mostrando que o sistema AlGaAsSb/AlAsSb é uma boa alternativa para a fabricação e VCSEL.
