A deposição assistida por feixe de íons (“ion beam assisted deposition”, IBAD) é um método de revestimento que combina um método de deposição de filme fino como evaporação com irradiação simultânea por feixe de íons energéticos extraído de uma fonte de íons. Uma combinação de uma fonte de íons e um evaporador faz o método IBAD controlável, reproduzível e flexível, sendo os parâmetros de deposição tais como fluxo de íons, energia de íons, ângulo de incidência do feixe de íons e taxa de evaporação, controlados independentemente. Para utilizar essa vantagem desse método e obter as condições de processo otimizadas, é requerido caracterizar principalmente a fonte de íons. No presente trabalho, será descrito um sistema IBAD montado e instalado no Instituto de Física da Universidade de São Paulo.
