Este trabalho teve como objetivo avaliar a polimerização por plasma de tetraetilortossilicato (TEOS) em sistema capacitivo e com freqüência de 13,56 MHz para a produção de filmes finos úteis ao desenvolvimento de sensores e estruturas miniaturizadas. Os filmes foram obtidos em diferentes condições de potência, pressão e temperatura, usando como reagentes TEOS, argônio e oxigênio. Os filmes foram caracterizados por perfilometria, elipsometria, espectroscopia de infravermelho (FTIR), microscopia Raman e de força atômica (AFM). As possíveis aplicações dos filmes obtidos foram testadas por microbalança de quartzo, aplicação de tensão e exposição à radiação ultravioleta (UVA e UVC). A taxa de deposição é altamente dependente do bombardeamento da superfície e do fluxo de oxigênio. A maioria dos filmes obtidos a alta temperatura (> 75ºC) apresentam índice de refração próximo ao do oxido de silício. Os filmes obtidos em alto fluxo de TEOS, baixa temperatura e baixa potência apresentaram alta intensidade relativa de CHn, medida por FTIR. Esses filmes quando analisados por microscopia Raman mostraram presença de radicais carbônicos perto de defeitos. AFM revelou que esses filmes são pouco rugosos e que os radicais carbônicos, encontrados por microscopia Raman em clusters, podem ser removidos por hidrólise com água. Testes de adsorção mostraram que os filmes podem adsorver compostos orgânicos antes de reação com água, mas o mesmo processo é dificultado após essa reação. Permeação de compostos iônicos pelo filme é possível pelo uso de tensão. Os filmes apresentam hidrólise e/ou ligações cruzadas pela exposição à radiação ultravioleta. Os resultados obtidos indicam os filmes para desenvolvimento de sensores e estruturas miniaturizadas.
