Neste trabalho desenvolvemos a técnica de obtenção do gate e contatos de dreno e fonte de um MESFET(Metal Schottky Field Effect Transistor) de GaAs, utilizando-se os processos de metalização por " Lift-off" e sombra. Empregando-se esses métodos conseguimos comprimento do gate em torno de 1?m e o espaçamento entre a fonte e o dreno de 3?m.
