Análise de concentração em profundidade feita por espectroscopia de elétrons Auger e medidas da resintência de contato em quatro tipos de resistores foram realizadas, a fim de relacionar as variações ocorridas na resistência de contato com o comportamento da interface após vários tratamentos térmicos. Foram utilizadas amostras de Al/Si-poli(tipo-n),com duas diferentes concentrações de fósforo. Os tratamentos térmicos foram realizados nas temperaturas de400, 450, e 500°C durante 5, 30 e 60 minutos. os valores encontrados para a resistência de contato coincidiram com os resultados existentes da literatura. Os perfis de profundidade apresentaram variações de acordo com o tratamento térmico e com a quantidade de fósforo.
