As propriedades morfológica e cristalográfica dos filmes de InN depositados sobre substratos de Si(111) e safira (110) com uma camada depositada de GaN em temperaturas de 420°C, 470°C e 520°C, foram estudadas através das técnicas de microscopia eletrônica de varredura (SEM) e difratometria de raios X (XRD), respectivamente. As fotografias tiradas com SEM indicaram a segregação de In nos filmes depositados sobre os substratos de Si(111). Por outro lado, as análises dos difratogramas de XRD mostraram que as estruturas cristalinas dos substratos utilizados influenciam fortemente o crescimento do filme.
