Filmes de (CdxZn1-x)S de 20-25 um de espessura foram depositadas pela evaporação simultânea de Cds e Zns, utilizando a técnica de paredes quentes. as temperaturas de 200°C, 400°C,900-1000°C e 900-1200°C para os substratos, paredes, fontes de Cds e fonte de Zns, respectivamente, foram as mais adequadas para a formação de filmescomtaxasdedeposição em torno de0,5 um.min-1. Obeteve-se filmescom estruturaWurtizita, com os planos cristalográficos orientados segundo a direção(001). Medidas de voltagem Hall mostraram resistividade, concentração e mobilidade na faixa de 2,5 ohm.cm, 1018 cm-3 e 24 cm2.v-1.s-1, respectivamente, enquanto a energia de 2,38 eV para a banda proibida do Cds foi obtida através da medida de absorção ótica. São discutidas modificações no sistema de evaporação para solucinor durante a do formação dos filmes.
