Para uma célula solar do tipo óxido/Sin+/Sip/Sip+ precisamos de filmes finos que possam ao mesmo tempo reduzir as perdas por reflexão, aumentar a condutividade da camada superior e diminuir a recombinação na superfície.
Neste estudo do In2O3 damos os critérios de escolha, os parâmetros de deposição de filmes crescidos por evaporação e por pulverização catódica e as caracterizações adequadas: medidas de resistividade,espessura e refletência e transmitância de filmes sobre vidro de silício. São estudadas as modificações das caracteristicas elétricas e óticas com tratamento térmico e llimitações para o estudo de filmesde In2O3 de 800°A.
Os filmes desenvolvidos tem a capacidade dediminuir para um quarto a refletância de células solares de selício, de dobrar a transmitância sobre o vidro, de originar junções retificadora sobre o silício e de formar camadas de índice derefração igual a dois e resistividade2x10-3 .cm.
