Descreve-se o desenvolvimento de células solares de filmes finos de CuInSe2/CdS com contato frontal de Al e contato traseiro de Cr-Au ou Ni. Utilizou-se o método de evaporação simultânea e independente dos elementos constituintes na deposição do CuInSe2 e o método de parede quente na deposilção do CdS. As células foram caracterizadas através de medidas de voltagem de circuito aberto, corrente de curto-circuito, fator de preenchimento e eficência.
