Filmes finos transparentes e condutores de óxido de índio-estanho (ITO) depositados a baixa temperatura são necessários nas células solares de ITO/InP devido a dissociação e perda do fósforo no fosfeto de índio quando este é aquecido. Foram preparadcs filmes de ITO, tipo—n, sobre substratos não aquecidos, pela técnica de pulverização catódica tipo magnetron a corrente contínua e a rádio frequência. Obteve-se filmes finos com resistividade mínima de 3,8x10-4 cm e 2,4 x l0-4 cm e uma boa transmitância ótica pelos métodos de CC e RF, respectivanente. Os filmes apresentaram altas concentrações de elétrons (maior que 1,25 x 1021 cm-3) juntamente com altas mobilidades (~30 cm2.v-I.s-1).
