A deposição assistida por feixe de íons (“íon beam assisted deposition”, IBAD) é um método de deposição a vácuo de material sobre um substrato combinada com irradiação simultânea por feixe de íons. O bombardeamento com íons energéticos durante a deposição de material melhora diversas características e propriedades dos filmes finos. No presente estudo, descrevemos o método IBAD e formamos filmes finos de nitreto de carbono e de nitreto de boro, preparados sobre substratos de silício usando um sistema IBAD instalado no Instituto de Física da Universidade de São Paulo. Obtivemos as informações sobre ligações moleculares, composição química e estrutura cristalina dos filmes finos depositados, através das respectivas técnicas: espectroscopia de infravermelho e de Ramam, “elastic recoil detection analysis” e difração de raios X.
