A epitaxia sob vácuo (MBE) permite a obtenção de filmes
de silício comparavéis ou superiores aos obtidos por deposição química a (CvD). A baixa temperatura de deposição permite a elaboração de filmes com gradiente de dopagom hiperabrupto. É conveniento dispor de uma técnica de dopagem que permita larga faixa (1015 — 1019cm-3), controle da concentração e gradiente de dopagem da ordem de 10A/década.
As fontes de efusão clássicas não atendendo a estas exigências, construimos uma fonte de Arsênico do tipo “Hot Cathode Eletrostatic Reflex”, e dopamos os filmes epitaxiais por implantação dos ions As a 1000 eV durante a depnsição. Os filmes tem planeidade e cristalografia satisfatórias, dinâmica de dopagem entre 1017 e 2 x 1019cm-3 e gradientes de dopagem avaliados em 60A/década. As concentrações encontradas por SIMS concordam com os valores calculados a partir da corrente iônica incidente e da taxa de deposição (todo o As impiantado e incorporado) e com a concentração de portadores de carga deduzida das medidas elétricas (todo o As é eletricamente ativo). A dopagem por implantaçãà de íons parece portanto atender às exigências de dinâmica, controle e gradiente de dopagem desejadas e será usada na fabricação de superredes de dopagem.
