INFLUÊNCIA DAS FLUTUAÇÕES DA COMPOSIÇÃO QUÍMICA DAS BARREIRAS SOBRE AS RECOMBINAÇÕES EXCITÔNICAS EM POÇOS QUÂNTICOS DE Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/GaAs
O mecanismo de luminescência a baixas temperaturas em poços quânticos (QWs) de AlxGa1-xAs/GaAs com diferentes concentrações de alumínio na barreira, crescido pela técnica de Epitaxia por Feixe Molecular (MBE), é estudado em detalhes empregando a espectroscopia de fotoluminescência (PL) em função da temperatura (8 K ? T ? 60K) combinada com a intensidade de excitação. Mostramos que os efeitos da localização excitônica sobre os espectros de PL, o comportamento anômalo da dependência da posição do pico da PL com T (“blue/red-shift”) e a largura de linha, são gradativamente reforçados com o aumento da concentração de Al no material constituinte da barreira. Verificamos que as flutuações da composição química do material constituinte da barreira possui forte efeito sobre o comportamento das recombinações exicitônicas nos QWs de AlGaAs/GaAs, em concordância com os resultados teóricos apresentado recentemente por Ponomarev e colaboradores [Phys. Rev. B 71, 155303, 2005].
