Neste trabalho, estudou-se a influência da utilização de uma intercamada fina de silício amorfo na tensão total e na aderência de filmes de DLC depositados em substratos de Ti6Al4V pela técnica de rf-PECVD. Na caracterização da intercamada de silício e das interfaces foi utilizada a técnica de XPS. A microestrutura dos filmes de DLC foi estudada utilizando a espectroscopia de espalhamento Raman. A tensão total dos filmes foi determinada a partir da deflexão do substrato usando a perfilometria e a dureza através de um microdurômetro. A aderência dos filmes foi avaliada usando-se a técnica de riscamento. Os resultados obtidos demonstraram que a utilização da intercamada de silício amorfo permite a deposição de filmes de DLC em substratos de Ti6Al4V com boa aderência, baixa tensão compressiva e elevada dureza. Observou-se a presença de SiC na interface entre o silício e o filme de DLC. A caracterização dos filmes de DLC mostrou que existe uma forte dependência da microestrutura e das propriedades mecânicas destes filmes com a energia dos íons.
