Este trabalho analisa a formação de filmes finos de siliceto de níquel (NiSi) com adição de 4% de Platina, para melhorar a estabilidade térmica do NiSi, em contatos sobre junções N+P. Tanto a técnica RBS quanto a XRD demonstraram a formação de filmes finos de monosiliceto de níquel com 4% de platina Ni(Pt)Si na temperatura de 600°C por 120 segundos. Os diodos construídos foram caracterizados eletricamente através da corrente de fuga por unidade de área, corrente de fuga por unidade de perímetro, tensão de início de condução, resistência série dos diodos e fator de idealidade, resultando em um bom desempenho. A resistividade do filme e a resistência de folha foram analisadas em função da temperatura de formação do siliceto para temperaturas na faixa de 400°C a 800°C
