Semicondutores de bandas proibidas estreitas dos grupos IV-VI e II-VI são muito importantes em optoeletrônica, principalmente para detetores e lasers semicondutores no infravermelho. O desenvolvimento destes semicondutores é estimulado por aplicações na detecção e emissão de radiação infravermelha, tais como: sensores de radiação térmica, comunicaçãoporlaser, radares de lasers, espectroscopia de alta resolução, controle de atitude de satélites, monitoração de poluição. Neste trabalho é descrita a técnica de epitaxia por vapor termicamente colimado - "Hot Wall Epitaxy" (HWE) - bem como a construção de um sistema de HWE, pelo crescimento de multicamadas, com ênfase no composto Pb1-xSnxTe, levando em consideração quea mesma técninca é também utilizada, entre outros paraZnS, ZnSe, CdS, CdSe, PbS e PbTe.
