O nitreto de silícioamorfo hidrogenado (a-SiNx:H) é potencialmente útil como material de janele em células solares de silício amorfo.
Apresentamos medidas de fotocondutividade em função da temperatura para diferentes concentrações de nitrogênio e diferentes dopagens dos tipos n e p. As amostras foram preparadaspordescarga luminescente sobre uma mistura de silano e nitrogênio.
Os resultados das medidas nos permitiram obter informações qualitativas sobre a influência do nitrogênio na densidade de estados eletrônicos em algumas regiões do pseudogap, bem como estudar efeitos de dopagem.
