Fotoeletrodeposição de partículas de cobre sobre filmes de diamante dopado com boro (DDB) com diferentes níveis de dopagem foram investigadas. Ênfases foram dadas no estudo da influência do nível de dopagem dos filmes e na eletrodeposição fotoassistida de cobre utilizando soluções com diferentes pHs (ácido e neutro). Os filmes crescidos foram caracterizados por Espectroscopia Raman e a concentração de portadores foi estimada por medidas de Mott-Schottky Plot. Os resultados mostraram que a deposição de partículas de Cu sobre os filmes de DDB apresentaram maior homogeneidade nos filmes com maior dopagem (B/C=30000 ppm) quando comparados aos filmes de menor dopagem (B/C=5000 ppm). Essa diferença na homogeneidade pode ser atribuída à melhor condutividade do eletrodo mais dopado devido à maior quantidade de boro presente neste filme, potencializando o processo de redução do cobre. Com relação ao meio eletrolítico (ácido, neutro) utilizado nas deposições fotoassistidas, foi observado, em meio neutro, uma melhor eficiência na deposição de Cu. Este comportamento pode estar associado à menor competição entre o H+ e o Cu2+ pelos elétrons fotogerados, uma vez que o H+ pode ser fotoeletricamente reduzido na superfície do diamante.
