EFEITO DA RAZÃO DE MISTURA DE GASES N<sub>2</sub>/AR NA ESTRUTURA DE LIGAÇÃO NOS FILMES FINOS DE CN<sub>x</sub> PREPARADOS POR MAGNETRON SPUTTERING

Autores

  • R. A. Castro
  • R. D. Mansano
  • J. F. D. Chubaci
  • M. Matsuoka
  • S Watanabe

DOI:

https://doi.org/10.17563/rbav.v19i1.220

Resumo

No presente trabalho foi estudado o efeito da razão de mistura de gases N/Ar na estrutura de ligação nos filmes finos de CNx preparados por RF magnetron sputering reativo de um alvo de grafite em um plasma de N2 e Ar. Os filmes, tipicamente de 100 a 160 nm de espessura, foram depositados em substratos de Si (100)em temperatura de 90 °C em pressão de 0,4 Pa. Espectros obtidos para todos os filmes com a espectroscopia do infravermelho por transformadas de Fourier apresentaram uma banda bem definida a 2190 cm-1 que é atribuída a um modo de vibração tripla C?N, confirmando a presença de ligações carbono-nitrogênio. O incremento da razão N2/Ar resultou em um aumento na espessura do filme. Por outro lado, a intensidade da banda a 2190 cm-1 inicialmente cresceu com o aumento da razão N2/Ar e então ficou constante com mais aumento na razão N/Ar.

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Publicado

2008-05-09

Edição

Seção

Artigos