v. 19 n. 1 (2000)

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Publicado: 2008-07-18

Editorial

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A. J. Damião

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Artigos

PROCESSAMENTO DA LIGA Sm₂Fe₁₇,POR FLUXO E PLASMA, PARA PRODUÇÃO DE INTERSTICIAIS Sm₂Fe₁₇N_x

C. A. Queiroz, A. V. A. Pinto, T. R. Taylor

3-5
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DIAMOND DEPOSITION USING SURFACE WAVE SYSTEM WITH HIGH MICROWAVE POWER

A. F. Azevedo, V. J. Trava-Airoldi, E. J. Corat, N. F. Leite

6-10
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HYDROGEN PLASMAS GENERATED IN A THETA-PINCH DEVICE WITH 65 kHz OSCILLATORY CURRENT

M. E. Kayama, M. S. Dobrowosky, E. A. Aramaki, R. Y. Honda, M. A. Algatti, R. P. Mota

11-14
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PbTe EPITAXIAL LAYERS GROWTH BY THE HOT WALL TECHNIQUE

S. Guimarães, I. Zassavitskii, I. Bandeira

15-18
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EXPERIMENTS ON SILICON-TO-SILICON DIRECT BONDING

A. C. Gracias, A. N. Rios, I. A. Maia, J. R. Sena

19-22
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EFFECT OF ULTRASOUND ON THE ORIENTATION-DEPENDENT ETCHING OF SINGLE CRYSTAL SILICON

A. N. Rios, A. C. Gracias, I. A. Maia, J. R. Senna

23-26
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REAL-TIME, IN-SITU MICROSCOPIC OBSERVATION OF SILICON ETCHING IN KOH

A. C. Gracias, A. N. Rios, I. A. Maia, J. R. Senna

27-30
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MODELING THE ANODIC CURRENT IN SILICON-GLASS BONDING

A. N. Rios, A. C. Gracias, I. A. Maia, J. R. Senna

31-34
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CARACTERIZAÇÃO DE DEFEITOS UTILIZANDO A TÉCNICA DE CORRENTES DE DESPOLARIZAÇÃO TERMICAMENTE ESTIMULADAS

F. A. Oliveira Neto, A. R. Blak

35-39
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EFEITO DA RAZÃO DE MISTURA DE GASES N₂/AR NA ESTRUTURA DE LIGAÇÃO NOS FILMES FINOS DE CN_x PREPARADOS POR MAGNETRON SPUTTERING

R. A. Castro, R. D. Mansano, J. F. D. Chubaci, M. Matsuoka, S Watanabe

40-42
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CORRENTES DE DESPOLARIZAÇÃO TERMICAMENTE ESTIMULADAS EM AMETISTAS BRASILEIRAS

S. U. Cortezão, A. R. Blak

43-45
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SISTEMA EXPERIMENTAL INTERFACEADO PARA O ESTUDO DE FILMES ELETROCRÔMICOS

J. Scarmínio, A. Urbano

46-51
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