Filmes de diamante dopados tipo p foram crescidos pelo processo de deposição química a partir da fase vapor assistida por filamento quente (DQFV-FQ), sobre substratos de Si <100>, usando como dopante uma fonte sólida de Nitreto de Boro. A dopagem foi realizada concomitantemente ao processo de crescimento. A estrutura cristalina e a morfologia da superfície dos filmes foram caracterizados por Espectroscopia Raman e Microscopia de Força Atômica. A Espectroscopia de Tunelamento Eletrônico mostrou a experiência de uma banda proibida de energia no filme de cerca de 3,15 eV; e as medidas de resistência elétrica do filme em função da temperatura, uma energia de ativação estimada de 0,14 eV.
