A presença de oxigênio no filme de cobalto durante o recozimento para formação do siliceto, teve diferentes influências sobre essa reação. Para pequenas quantidades de oxigênio no ambiente de deposição de cobalto, toda a camada metálica foi consumida na reação, resultando num filme de siliceto uniforme e de baixa resistividade. Com quantidade intermediária de oxigênio no ambiente de deposição a silicetação ocorreu de maneira mais rápida em relação a um processo padrão (deposição de cobalto em ambiente de argônio puro). Para altas concentrações de oxigênio houve a formação de uma barreira de difusão entre o siliceto em formação e o metal ainda não reagido, que inibiu a continuação da reação entre cobalto e silício.
