O objetivo deste trabalho foi realizar um estudo da deposição de filmes de nitreto de silício em substratos de silicio polido tipo n e orientação (111), através de um sistema “RF PLANAR MAGNETRON SPUTTERING”. O estudo consistiu em se verificar o comportamento do índice de refração e da taxa de deposição em função da variação da pressão parcial do gás nitrogênio em três densidades de potência: 1,09 e 1,45 e 2,90 Watts/cm2. Os estudos mostraram uma acentuada dependência da taxa de deposição e da estequiometria do filme de nitreto de silicio em relação à potência de sputtering empregada, e esta dependência está também relacionada com o fluxo de gás nitrogênio admitido na câmara de sputtering, mantendo-se constantes os demais parâmetros de deposição.
