A heteroestrutura InxGax-1As /GaAs apresenta grande interesse pois abrange uma faixa ampla de bandas diretas de energia e possui grande mobilidade eletrônica, tendo, portanto, emprego potencial em dispositivos optoeletrônicos na faixa do infravermelho próximo e em circuitos integrados de alta velocidade. Entretanto, a diferença entre as constantes de rede cristalina de InAs e GaAs faz surgir defeitos estruturais que causam a deterioração do desempenho dos dispositivos eletrônicos e fotônicos. No presente trabalho, foi desenvolvido um método para crescer, por epitaxia por feixe molecular, camadas de InxGax-1As em substratos de GaAs, utilizando um sistema tipo “buffer” de múltiplos estágios para alívio das tensões. Microscopia eletrônica de transmissão revelou que camadas produzidas após a introdução desse “buffer” apresentaram drástica redução na densidade de discordâncias. Medidas de efeito Hall realizadas à temperatura ambiente em camadas dopadas não intencionalmente indicaram uma concentração de elétrons em torno de 5x1015 cm-3 enquanto a mobilidade eletrônica atingiu 5.200 cm2V-1s-1, indicando que InxGax-1As com espessura de alguns mícrons pode ser produzido com qualidade adequada para emprego em dispositivos optoeletrônicos.
